本文摘要:莫斯科物理技术学院(MIPT)主张,将为RAM成功开发新工艺,创造适合3D填充的薄膜技术。

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莫斯科物理技术学院(MIPT)主张,将为RAM成功开发新工艺,创造适合3D填充的薄膜技术。可变电阻随机访问存储器(ReRAM)是一种“标准化”存储器,它不仅可以实现随机访问存储器(RAM)的速度,还可以代替其他多种存储类型。但是现在,闪存首先转移到了3D时代,所以比ReRAM领先一步。

目前,莫斯科物理技术大学(Moscowinstituteofphysicsandtechnology)的研究人员成功地为ReRAM开发了新的工艺,预计将构建适合三维填充的薄膜技术。ReRAM的研发一般采用电阻率仪展开,其中,在油田层移动的氧气流失(oxygenvacancy)将介电体的电阻转换为“1”和“0”。

除MIPT外,还有4 dsmemoryltd。CrossbarInc、HPInc、KnowmInc和美国德州莱斯大学(RiceUniversity)的研究人员也为ReRAM构建了原型。就3DReRAM而言,MIPT科学家KonstantinEgorov回应说:“我们不仅要在基因组层形成缺氧,还要检查它。”为此,MIPT研究人员使用的方法是在经常发生氧气流失的油田层仔细观察能量间隔的电子状态。

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Egorov说:“为了研究水解钽薄膜生长过程中构成的氧气不足,我们将它用于分析等离子辅助原子层沉积(PEALD)和X射线光电光谱仪(XPS)腔室(通过真空管连接)的实验簇。”该集群使我们能够培养和研究沉积层,而不破坏真空状态。

“他特别是”这一点是最重要的。因为一旦在真空中放入实验样品,介质的纳米层就不会在表面水解,氧气流失就会消失。”作为一个用作生长和研究薄膜的实验集群,在真空中,三维充电(来源:MIPT)半导体实验室可以连接PEALD和XPS室,然后添加到自动操作器中,在室之间传输晶片,形成这个独特的原子层沉积(ALD)集群。

除了样品测试晶片外,批量生产不需要这样的群集。但是,为了补偿ALD薄膜的缓慢增长速度,需要建造组装线。如果这些研究成功,MIPT主张通过横向填充结果ReRAM,可以创建解决3D闪存的标准化内存。

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目前,3Dflash限制为64层。与沉积氧油水碳膜相关的化学反应阶段(左)和利用X射线光电子光谱的分析结果(右)。

(资料来源:MIPT) ALD增长缓慢,但MIPT和其他实验室目前为止使用的纳米薄膜沉积技术可以代替3D结构的等角涂层。主要差异是ALD依次将基底暴露在整个材料和反应物材料中,并通过不同的化学反应生成活性层。

MIPT技术还用于连接到金属前体的化学分子配体,以加快化学反应速度,但在用作组件的活动层之前,必须先去除配体。MIPT首席研究员AndreyMarkeev表示:“氧气薄膜沉积需要找到正确的反应物,才能去除金属前部的配体,控制涂层中的氧气含量。”因此,经过多次实验后,我们顺利地用在含有氧气的钽前体和电场引起的氢反应物上。”MIPT研究员DmitryKuzmichev,KonstantinEgorov,AndreyMarkeev,YuryLebedinskiy,和后面的原子层沉积器。

(来源:MIPT)接下来,研究人员想优化这个过程,加快ALD速度,为3DReRAM构建大量生产。MIPT的研究资金由俄罗斯科学基金会(RSF)和MIPT共同获得。该研究的详细内容公开在《ACS应用材料和介面》(ACSAPPLIEDMATERIALSInterfaces)杂志的《应用存储器以电场辅助原子层控制TaOx薄膜的缺氧,构建可变电阻转换》中。

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